г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXXX110N65B4H1 IXYS

Артикул
IXXX110N65B4H1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 650V 240A 880W PLUS247, IGBT PT 650 V 240 A 880 W Through Hole PLUS247™-3
Цена
2 566 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXXX110N65B4H1.jpg
PLUS247™-3
880 W
400V, 55A, 2Ohm, 15V
Standard
240 A
650 V
100 ns
PT
630 A
2.1V @ 15V, 110A
2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
183 nC
TO-247-3
REACH Unaffected
GenX4™, XPT™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IXXX110
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
38ns/156ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZT52C39
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 39V 500MW SOD123F, Zener Diode 39 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123F
Подробнее
Артикул: 1126-4-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/4 RD X 3/8 X .115 ID, Round Spacer Unthreaded - Stainless Steel 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: HER202G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 2A 100V DO-15, Diode Standard 100 V 2A (DC) Through Hole DO-204AC (DO-15)
Подробнее
Артикул: SGP30N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: STPS30120CT
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120 V 15A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2SB1560
Бренд: Sanken
Описание: TRANS PNP DARL 150V 10A TO-3P, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Подробнее