г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXYH50N120C3 IXYS

Артикул
IXYH50N120C3
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 1200V 100A 750W TO247AD, IGBT - 1200 V 100 A 750 W Through Hole TO-247 (IXYH)
Цена
2 156 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXYH50N120C3.jpg
TO-247 (IXYH)
750 W
600V, 50A, 5Ohm, 15V
Standard
100 A
1200 V
-
240 A
3.5V @ 15V, 50A
3mJ (on), 1mJ (off)
142 nC
TO-247-3
REACH Unaffected
30
GenX3™, XPT™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IXYH50
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
28ns/133ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DMP34M4SPS-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8, P-Channel 30 V 135A (Tc) 1.5W Surface Mount PowerDI5060-8
Подробнее
Артикул: FQP27P06
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3, P-Channel 60 V 27A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SBL560
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AC, Diode Schottky 60 V 5A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: 1N4912A
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7, Zener Diode 12.8 V 400 mW ±5% Through Hole DO-7
Подробнее
Артикул: STB40NF20
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK, N-Channel 200 V 40A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: FJP13007TU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее