г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXYK100N120C3 IXYS

Артикул
IXYK100N120C3
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 1200V 188A 1150W TO264, IGBT - 1200 V 188 A 1150 W Through Hole TO-264 (IXYK)
Цена
4 235 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXYK100N120C3.jpg
TO-264-3, TO-264AA
TO-264 (IXYK)
1150 W
600V, 100A, 1Ohm, 15V
Standard
188 A
1200 V
-
490 A
3.5V @ 15V, 100A
6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
270 nC
REACH Unaffected
-IXYK100N120C3
GenX3™, XPT™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IXYK100
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
25
32ns/123ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4153
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35, Diode Standard 75 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: BUL147
Бренд: onsemi
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BZX85C36
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 36V 1.3W DO-41, Zener Diode 36 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: FDS4501H
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 9.3A, 5.6A 1W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 1N3890
Бренд: Microchip Technology
Описание: FAST RECOVERY RECTIFIER, Diode
Подробнее