г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXYK120N120B3 IXYS

Артикул
IXYK120N120B3
Бренд
IXYS
Описание
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3), IGBT PT 1200 V 320 A 1500 W Through Hole TO-264 (IXYK)
Цена
4 985 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
XPT™, GenX3™
1200 V
320 A
54 ns
PT
2.2V @ 15V, 100A
800 A
9.7mJ (on), 21.5mJ (off)
Standard
400 nC
30ns/340ns
1500 W
238-IXYK120N120B3
REACH Unaffected
Tube
Active
EAR99
8541.29.0095
25
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-264-3, TO-264AA
TO-264 (IXYK)
IXYK120
960V, 100A, 1Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BF245C,112
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: JFET N-CH 30V 25MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET 15 V 100MHz - - TO-92-3
Подробнее
Артикул: MPS918
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 15V 0.05A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 50 mA 600MHz 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 2N5039
Бренд: Central Semiconductor
Описание: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 75 V 20 A 60MHz 140 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: CM100RL-24NF
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 620W, IGBT Module - Three Phase Inverter with Brake 1200 V 100 A 620 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: PZT2907A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 0.8A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 800 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223-4
Подробнее
Артикул: IRF830B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 73W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее