г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

JAN2N6301 Microchip Technology

Артикул
JAN2N6301
Бренд
Microchip Technology
Описание
TRANSISTOR NPN DARLINGTON TO-213, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 500 µA - 75 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Цена
5 586 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/JAN2N6301.jpg
3V @ 80mA, 8A
500 µA
750 @ 4A, 3V
-
80 V
NPN - Darlington
75 W
TO-66 (TO-213AA)
TO-213AA, TO-66-2
-55°C ~ 200°C (TJ)
Through Hole
1
8541.29.0095
EAR99
Active
Bulk
Military, MIL-PRF-19500/539
500µA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AUIRLS3036TRL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK, N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: CAB-A-PK
Бренд: Brady
Описание: WIRE MARKER, 3.5 IN H X 0.5 IN W,
Подробнее
Артикул: 1N4007W
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: STANDARD SOD123FL T/R 3000, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: R6025JNZ4C13
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 600V 25A TO247G, N-Channel 600 V 25A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-247G
Подробнее
Артикул: SD57120
Бренд: STMicroelectronics
Описание: FET RF 65V 960MHZ M252, RF Mosfet LDMOS 28 V 800 mA 960MHz 14dB 120W M252
Подробнее
Артикул: SMS3100
Бренд: DComponents
Описание: SchottkyD, 100V, 3A, Diode Schottky 100 V 3A Surface Mount MELF DO-213AB
Подробнее