г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

JANS1N5806 Microchip Technology

Артикул
JANS1N5806
Бренд
Microchip Technology
Описание
DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL, Diode Standard 150 V 1A Through Hole
Цена
6 847 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/JANS1N5806.jpg
Fast Recovery = 200mA (Io)
A, Axial
Standard
150 V
1A
875 mV @ 1 A
25 ns
1 µA @ 150 V
25pF @ 10V, 1MHz
REACH Unaffected
1
1086-15143,1086-15143-MIL
Military, MIL-PRF-19500/477
Bulk
Active
Through Hole
1N5806
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FLZ22VC
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 21.7V 500MW SOD80, Zener Diode 21.7 V 500 mW ±3% Surface Mount SOD-80
Подробнее
Артикул: 10ETF12
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC, Diode Standard 1200 V 10A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: 3035AU
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB 3 ARM 5/16"-18 PLASTIC, 3 Arm Knob 5/16"-18 Shaft with No Indicator Plastic Black
Подробнее
Артикул: DPG10I200PA
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC, Diode Standard 200 V 10A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: CPV363M4U
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 13 A 36 W Through Hole IMS-2
Подробнее
Артикул: IRF2807Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB, N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее