г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

KBJ408G Diodes Incorporated

Артикул
KBJ408G
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole KBJ
Цена
170 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Bridge Rectifiers, Диоды - мостовые выпрямители
files/KBJ408G.jpg
-65°C ~ 150°C (TJ)
4-SIP, KBJ
KBJ
Single Phase
4 A
1 V @ 2 A
5 µA @ 800 V
Standard
20
8541.10.0080
EAR99
-
Tube
Active
Through Hole
KBJ408
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Affected
800 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJ11016
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 1SS400T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523, Diode Standard 100 V 200mA (DC) Surface Mount SOD-523
Подробнее
Артикул: STP110N8F6
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 80V 110A TO220, N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MUN5131T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее
Артикул: IRF6795MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET, N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее