г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

KSC2690AYS onsemi

Артикул
KSC2690AYS
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 160V 1.2A TO126-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.2 A 155MHz 1.2 W Through Hole TO-126-3
Цена
112 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/KSC2690AYS.jpg
ONSONSKSC2690AYS,KSC2690AYSFS,2156-KSC2690AYS-OS,KSC2690AYS-ND
TO-126-3
NPN
1.2 A
160 V
700mV @ 200mA, 1A
1µA (ICBO)
35 @ 5mA, 5V
1.2 W
155MHz
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Bulk
Active
150°C (TJ)
Through Hole
TO-225AA, TO-126-3
EAR99
8541.29.0075
2,000
KSC2690
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STD25NF10LT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK, N-Channel 100 V 25A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: NE68033-A
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23, RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: P85050
Бренд: Bell & Gossett
Описание: PACKING GLAND 1/2 1-5/8" VSC-PF,
Подробнее
Артикул: SI4435DDY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO, P-Channel 30 V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: SBR40U60CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SBR 60V 20A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 60 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее