KSD2012GTU Fairchild Semiconductor

Артикул

KSD2012GTU

Бренд

Fairchild Semiconductor

Описание

KSD2012 - NPN EPITAXIAL SILICON, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F-3

Цена

71 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

files/KSD2012GTU.jpg

TO-220F-3

25 W

60 V

3 A

NPN

1V @ 200mA, 2A

100µA (ICBO)

150 @ 500mA, 5V

TO-220-3 Full Pack

Through Hole

Bulk

Active

Vendor Undefined

REACH Affected

2156-KSD2012GTU-600039

150°C (TJ)

3MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPTG011N08NM5ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8, N-Channel 80 V 42A (Ta), 408A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1

Подробнее

Артикул: 1N4688

Бренд: Motorola

Описание: DIODE ZENER 4.7V 0.5W 5% UNI, Zener Diode

Подробнее

Артикул: BC549BTA

Бренд: onsemi

Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3

Подробнее

Артикул: BAV170-7-F

Бренд: Diodes Incorporated

Описание: DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT23-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 85 V 125mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Подробнее

Артикул: RN1427TE85LF

Бренд: Toshiba Semiconductor

Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Подробнее

Артикул: 1N5371B

Бренд: Microsemi

Описание: DIODE ZENER 60V 5W T18, Zener Diode 60 V 5 W ±5% Through Hole T-18

Подробнее

KSD2012GTU Fairchild Semiconductor

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята