г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MAT02FH Analog Devices

Артикул
MAT02FH
Бренд
Analog Devices
Описание
IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO78-6, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 20mA 200MHz 1.8W Through Hole TO-78-6
Цена
1 610 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
files/MAT02FH.jpg
REACH Unaffected
2156-MAT02FH-AD,ANAANAMAT02FH
MAT02
1.8W
2 NPN (Dual)
20mA
40V
200mV @ 100µA, 1mA
4nA
-
1
8541.29.0075
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-78-6 Metal Can
TO-78-6
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
EAR99
200MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5372B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 62V 5W AXIAL, Zener Diode 62 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: NGTB40N120FLWG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 40A TO247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 260 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: SC-90-2-5
Бренд: Kilo International
Описание: KNOB KNURLED W/SKRT 0.250" METAL, Knurled, Straight Knob 0.250" (6.35mm) Shaft with Numbers on Skirt Metal Black Gloss
Подробнее
Артикул: BCW60D,215
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS NPN 32V 100MA TO236AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 250MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: P2000G
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE STD D8X7.5 400V 20A, Diode Standard 400 V 20A Through Hole P600
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Подробнее