г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MBR120ESFT1G onsemi

Артикул
MBR120ESFT1G
Бренд
onsemi
Описание
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L, Diode Schottky 20 V 1A Surface Mount SOD-123FL
Цена
71 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/MBR120ESFT1G.jpg
SOD-123FL
REACH Unaffected
10 µA @ 20 V
530 mV @ 1 A
Schottky
20 V
Fast Recovery = 200mA (Io)
-65°C ~ 150°C
1A
MBR120ESFT1GOS,MBR120ESFT1GOS-ND,MBR120ESFT1GOSCT,MBR120ESFT1GOSDKR,MBR120ESFT1GOSTR
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
SOD-123F
EAR99
8541.10.0080
3,000
MBR120
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AO4892
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: STL12N60M2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT, N-Channel 600 V 6.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Подробнее
Артикул: P58664
Бренд: Bell & Gossett
Описание: 5-11/16" BRONZE IMPELLER FOR SER,
Подробнее
Артикул: BC549C,112
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: APT40GP90B2DQ2G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 900V 101A 543W TMAX, IGBT PT 900 V 101 A 543 W Through Hole
Подробнее
Артикул: IPA95R1K2P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 6A TO220, N-Channel 950 V 6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее