г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MBR300200CT GeneSiC Semiconductor

Артикул
MBR300200CT
Бренд
GeneSiC Semiconductor
Описание
DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200 V 150A Chassis Mount Twin Tower
Цена
16 277 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
-
MBR300200
Fast Recovery = 200mA (Io)
Schottky
200 V
920 mV @ 150 A
3 mA @ 200 V
-40°C ~ 150°C
1 Pair Common Cathode
40
8541.10.0080
Bulk
Active
Chassis Mount
Twin Tower
Twin Tower
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
150A

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBRB1545CT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 7.5A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: MPSW45A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 50V 1A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 50 V 1 A 100MHz 1 W Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: PS21961-4
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 600V 3A SUPERMINI DIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 3 A 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm)
Подробнее
Артикул: UF5402
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200V 3A ULTRA FAST, Diode Standard 200 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: STP12NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB, N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: HGTP3N60A4
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 17A 70W TO220AB, IGBT - 600 V 17 A 70 W Through Hole TO-220-3
Подробнее