г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MDS150 Microsemi

Артикул
MDS150
Бренд
Microsemi
Описание
RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW, RF Transistor NPN 60V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 350W Chassis Mount 55AW
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
-
150-MDS150,MDS150-ND
350W
NPN
60V
1.03GHz ~ 1.09GHz
-
10dB
20 @ 500mA, 5V
REACH Unaffected
55AW
55AW
Bulk
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0075
1
Chassis Mount
200°C (TJ)
4A

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRLSL3036PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO262, N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: FGA15N120ANTDTU-F109
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 30A 186W TO3P, IGBT NPT and Trench 1200 V 30 A 186 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: MRFE6VP61K25GNR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS RF LDMOS 1250W 50V, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 230MHz 23dB 1250W OM-1230G-4L
Подробнее
Артикул: 0172-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS7/16HD X, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: IKCM30F60GDXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: S1M-E3/61T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее