г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MGP4N60ED onsemi

Артикул
MGP4N60ED
Бренд
onsemi
Описание
IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL, IGBT
Цена
71 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/MGP4N60ED.jpg
REACH Affected
1
2156-MGP4N60ED,ONSONSMGP4N60ED
8541.29.0095
EAR99
RoHS non-compliant
Active
Bulk
*
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRLR3410PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: HEXFET POWER MOSFET, N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: 1219-10-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/2 RD X 3/8 X .192 ID, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: BD243C
Бренд: onsemi
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 6A, 10, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: DMN2022UFDF-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN, N-Channel 20 V 7.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Подробнее
Артикул: BYC60W-600PQ
Бренд: WeEn Semiconductors
Описание: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2, Diode Standard 600 V 60A Through Hole TO-247-2
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее