MJ10012 NTE Electronics
Артикул
MJ10012
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- PO DARL SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 10 A - 175 W Through Hole TO-3
Цена
1 364 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJ10012.jpg
TO-3
175 W
400 V
10 A
NPN - Darlington
2.5V @ 2A, 10A
1mA
300 @ 3A, 6V
TO-204AA, TO-3
1
2368-MJ10012
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут