г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJ10021 NTE Electronics

Артикул
MJ10021
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- HIV SW DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 250 V 60 A - 250 W Through Hole TO-3
Цена
3 131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJ10021.jpg
TO-3
250 W
250 V
60 A
NPN - Darlington
4V @ 4A, 60A
250µA
75 @ 15A, 5V
TO-204AA, TO-3
1
2368-MJ10021
SWITCHMODE™
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: G10/KD
Бренд: J.W. Winco
Описание: PLASTIC PRESS-FIT BALL PLUNGER, Plunger, Press-Fit - -
Подробнее
Артикул: IPP032N06N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: 2N7002-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236, N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236
Подробнее
Артикул: 1434-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: 1N5354B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 17V 5W AXIAL, Zener Diode 17 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: IRG4BC30U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее