г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJ10023 NTE Electronics

Артикул
MJ10023
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- HIV SW DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 40 A - 250 W Through Hole TO-3
Цена
2 315 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJ10023.jpg
TO-3
250 W
400 V
40 A
NPN - Darlington
5V @ 5A, 40A
250µA
60 @ 10A, 5V
TO-204AA, TO-3
1
2368-MJ10023
SWITCHMODE™
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TDB6HK180N16RRBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCR MODULE VDRM 1600V 70A, SCR Module Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FQA10N80C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P, N-Channel 800 V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: CSD13202Q2
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON, N-Channel 12 V 22A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Подробнее
Артикул: SS1060FL_R1_00001
Бренд: Panjit International
Описание: SOD-123FL, SKY, Diode Schottky 60 V 1A Surface Mount SOD-123FL
Подробнее
Артикул: MCL4148-TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GP 75V 150MA MICROMELF, Diode Standard 75 V 150mA Surface Mount MicroMELF
Подробнее
Артикул: STW48N60M2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 42A TO247, N-Channel 600 V 42A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее