г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJ11012G onsemi

Артикул
MJ11012G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Цена
1 266 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJ11012G.jpg
MJ11012G-ND,ONSONSMJ11012G,2156-MJ11012G-OS,MJ11012GOS
TO-204 (TO-3)
NPN - Darlington
30 A
60 V
4V @ 300mA, 30A
1mA
1000 @ 20A, 5V
200 W
4MHz
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Tray
Active
-55°C ~ 200°C (TJ)
Through Hole
TO-204AA, TO-3
EAR99
8541.29.0095
100
MJ11012
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SQZ-MINI
Бренд: WEC
Описание: SQZ-MINI,
Подробнее
Артикул: FQD10N20CTM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK, N-Channel 200 V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: BFP450E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, RF Transistor NPN 5V 100mA 24GHz 450mW Surface Mount PG-SOT343-4
Подробнее
Артикул: NSVMMBT3906TT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP BIPO 40V SC75-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: MUBW30-12A6K
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 1200V 30A 130W E1, IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 1200 V 30 A 130 W Chassis Mount E1
Подробнее
Артикул: M-7065D
Бренд: ICP DAS
Описание: MODBUS RTU REMOTE I/O DAQ MODULE, Input, Output (I/O) Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее