г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJ11012G onsemi

Артикул
MJ11012G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Цена
1 266 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJ11012G.jpg
MJ11012G-ND,ONSONSMJ11012G,2156-MJ11012G-OS,MJ11012GOS
TO-204 (TO-3)
NPN - Darlington
30 A
60 V
4V @ 300mA, 30A
1mA
1000 @ 20A, 5V
200 W
4MHz
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Tray
Active
-55°C ~ 200°C (TJ)
Through Hole
TO-204AA, TO-3
EAR99
8541.29.0095
100
MJ11012
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0168-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STAINLESS STE, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Stainless Steel
Подробнее
Артикул: SM2000
Бренд: DComponents
Описание: ST Rect, 2000V, 1A, Diode Standard 2000 V 1A Surface Mount MELF DO-213AB
Подробнее
Артикул: 1492-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/4 HEX X 9, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее
Артикул: DTC143ZETL
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Подробнее
Артикул: BAV99T-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY GP 85V 75MA SOT523, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 85 V 75mA (DC) Surface Mount SOT-523
Подробнее
Артикул: CLF1G0035-200P
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF POWER TRANSISTORS, RF Transistor
Подробнее