г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJ11012G onsemi

Артикул
MJ11012G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Цена
1 266 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJ11012G.jpg
MJ11012G-ND,ONSONSMJ11012G,2156-MJ11012G-OS,MJ11012GOS
TO-204 (TO-3)
NPN - Darlington
30 A
60 V
4V @ 300mA, 30A
1mA
1000 @ 20A, 5V
200 W
4MHz
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Tray
Active
-55°C ~ 200°C (TJ)
Through Hole
TO-204AA, TO-3
EAR99
8541.29.0095
100
MJ11012
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MUR860G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Diode Standard 600 V 8A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: FQA70N15
Бренд: onsemi
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7, N-Channel 150 V 70A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: BUZ76A
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 400 V 2.6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N3773
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 140V 16A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 16 A - 150 W Chassis Mount TO-3
Подробнее
Артикул: IRGB4061DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 36A 206W TO220AB, IGBT Trench 600 V 36 A 206 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: STF33N65M2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP, N-Channel 650 V 24A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее