г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJ11016 Solid State

Артикул
MJ11016
Бренд
Solid State
Описание
TO 3 30 AMP DARLINGTON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 30 A - 200 W Through Hole TO-3
Цена
861 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJ11016.jpg
TO-3
Vendor Undefined
200 W
NPN - Darlington
30 A
120 V
4V @ 300mA, 30A
1mA
1000 @ 20A, 5V
TO-204AA, TO-3
-65°C ~ 200°C (TJ)
10
-
Bulk
Active
Through Hole
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
2383-MJ11016
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFB7440GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 2N5962
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1N4731A,113
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 4.3V 1W DO41,
Подробнее
Артикул: ISL9V3036S3ST
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 360V 21A TO263AB, IGBT - 360 V 21 A 150 W Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: STW18NK80Z
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3, N-Channel 800 V 19A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FDC655BN
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6, N-Channel 30 V 6.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее