г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJ11016 Solid State

Артикул
MJ11016
Бренд
Solid State
Описание
TO 3 30 AMP DARLINGTON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 30 A - 200 W Through Hole TO-3
Цена
861 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJ11016.jpg
TO-3
Vendor Undefined
200 W
NPN - Darlington
30 A
120 V
4V @ 300mA, 30A
1mA
1000 @ 20A, 5V
TO-204AA, TO-3
-65°C ~ 200°C (TJ)
10
-
Bulk
Active
Through Hole
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
2383-MJ11016
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: KBL408G
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBL, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole KBL
Подробнее
Артикул: BZX84-B12,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 12V 250MW TO236AB,
Подробнее
Артикул: MRF6V10010NR4
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5, RF Mosfet LDMOS 50 V 10 mA 1.09GHz 25dB 10W PLD-1.5
Подробнее
Артикул: MW-410
Бренд: GC Electronics
Описание: #3/8 FLAT STEEL WASHER,
Подробнее
Артикул: 1SMB5921BT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 6.8V 3W SMB, Zener Diode 6.8 V 3 W ±5% Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: IRF720PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB, N-Channel 400 V 3.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее