г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJ11032G onsemi

Артикул
MJ11032G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 120V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 50 A - 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Цена
2 208 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJ11032G.jpg
MJ11032GOS,2156-MJ11032G-OS,ONSONSMJ11032G
TO-204 (TO-3)
NPN - Darlington
50 A
120 V
3.5V @ 500mA, 50A
2mA
1000 @ 25A, 5V
300 W
-
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Tray
Active
-55°C ~ 200°C (TJ)
Through Hole
TO-204AE
EAR99
8541.29.0095
100
MJ11032
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBRD10150CT
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V DPAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150 V Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Подробнее
Артикул: 2N5496
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 70V 7A TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 70 V 7 A 4MHz 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MIO1200-33E10
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 3300V 1200A E10, IGBT Module NPT Single Switch 3300 V 1200 A Chassis Mount E10
Подробнее
Артикул: HGTP7N60C3D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 14A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 60 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: VUO190-16NO7
Бренд: IXYS
Описание: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 248A PWS-E1, Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.6 kV Chassis Mount PWS-E
Подробнее
Артикул: 0050-R
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB SMOOTH 3/8"-16 PHENOLIC, Smooth Knob 3/8"-16 Shaft with No Indicator Phenolic Black
Подробнее