г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJ14002 onsemi

Артикул
MJ14002
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PWR NPN 60A 80V TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 60 A - 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Цена
1 438 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJ14002.jpg
MJ14002OS,ONSONSMJ14002,2156-MJ14002-ON
TO-204 (TO-3)
NPN
60 A
80 V
1V @ 2.5A, 25A
1mA
15 @ 50A, 3V
300 W
-
1 (Unlimited)
RoHS non-compliant
-
Tray
Obsolete
-
Through Hole
TO-204AE
EAR99
8541.29.0095
100
MJ140
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1122-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACER ALUMINUM 1/8", Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: VS-MBRB1635-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB, Diode Schottky 35 V 16A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: 2N5301
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1N5420
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL, Diode Standard 600 V 3A Through Hole B, Axial
Подробнее
Артикул: IXGT72N60A3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 75A 540W TO268, IGBT PT 600 V 75 A 540 W Surface Mount TO-268AA
Подробнее
Артикул: IXYK140N90C3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 900V 310A 1630W TO264, IGBT - 900 V 310 A 1630 W Through Hole TO-264 (IXYK)
Подробнее