г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJD112G onsemi

Артикул
MJD112G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Цена
133 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJD112G.jpg
MJD112G-ND,2156-MJD112G-OS,ONSONSMJD112G,MJD112GOS
DPAK
NPN - Darlington
2 A
100 V
3V @ 40mA, 4A
20µA
1000 @ 2A, 3V
1.75 W
25MHz
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
-
Tube
Active
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
EAR99
8541.29.0095
75
MJD112
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N3055
Бренд: Solid State
Описание: NPN SIL TRANS TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 2.5MHz 115 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1385-10-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.625" (41.28mm) 1 5/8" -
Подробнее
Артикул: 1356-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.750" (44.45mm) 1 3/4" -
Подробнее
Артикул: TIP31C
Бренд: Solid State
Описание: TO 220 1.0 AMP SILICON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IXFX210N30X3
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3, N-Channel 300 V 210A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: IRF9630
Бренд: Harris
Описание: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB, P-Channel 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее