г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJD122-1 STMicroelectronics

Артикул
MJD122-1
Бренд
STMicroelectronics
Описание
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
Цена
158 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJD122-1.jpg
REACH Unaffected
MJD122-1-ND,497-16183
MJD122
20 W
NPN - Darlington
8 A
100 V
4V @ 80mA, 8A
10µA
1000 @ 4A, 4V
75
8541.29.0095
-
Bulk
Active
150°C (TJ)
Through Hole
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
TO-251 (IPAK)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STGP19NC60WD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 40A 125W TO220, IGBT - 600 V 40 A 125 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2SC5536A-TL-H
Бренд: onsemi
Описание: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP, RF Transistor NPN 12V 50mA 1.7GHz 100mW Surface Mount 3-SSFP
Подробнее
Артикул: 1210-12-S-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCLEAR ZINC3/8 RD X 1, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.750" (44.45mm) 1 3/4" Clear
Подробнее
Артикул: ST-215
Бренд: SchmalzTech
Описание: RJ45 BREADBOARD BREAKOUT,
Подробнее
Артикул: AUIRFZ48Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 61A TO220, N-Channel 55 V 61A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: SI7611DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8, P-Channel 40 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Подробнее