г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJD122G onsemi

Артикул
MJD122G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
Цена
146 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJD122G.jpg
MJD122G-ND,MJD122GOS,ONSONSMJD122G,2156-MJD122G-OS
DPAK
NPN - Darlington
8 A
100 V
4V @ 80mA, 8A
10µA
1000 @ 4A, 4V
20 W
4MHz
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
-
Tube
Active
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
EAR99
8541.29.0095
75
MJD122
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BB174X
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE VHF VAR CAP 30V SOD523, Varactors Single 30 V Surface Mount SOD-523
Подробнее
Артикул: B140-E3/61T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC, Diode Schottky 40 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: HFA16TA60CS
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 8A (DC) Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: 2N2907A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AF OUTPUT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 400 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: TO-207-060
Бренд: Bivar
Описание: SPACER RECT GEN PURP 0.060", Component Spacer General Purpose - Axial, Radial Rectangular 0.060" (1.52mm) Natural
Подробнее
Артикул: 1N966B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 16V 500MW DO35, Zener Diode 16 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее