г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJD122T4 onsemi

Артикул
MJD122T4
Бренд
onsemi
Описание
TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
Цена
57 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJD122T4.jpg
MJD122T4OSTR,MJD122T4OSDKR,MJD122T4OSCT
DPAK
NPN - Darlington
8 A
100 V
2V @ 15mA, 4A
10µA
1000 @ 4A, 4V
20 W
4MHz
1 (Unlimited)
RoHS non-compliant
-
Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-65°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
EAR99
8541.29.0095
2,500
MJD12
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STP80N10F7
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO220, N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1438-25-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее
Артикул: JS-04-00
Бренд: TE Connectivity
Описание: JIFFY SPLICE,
Подробнее
Артикул: 201-BCS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .250,L=1.38,W=.035 HD,
Подробнее
Артикул: AUIRF1405ZL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 150A TO262, N-Channel 55 V 150A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IHW30N160R2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее