г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE13004 Harris

Артикул
MJE13004
Бренд
Harris
Описание
NPN POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 4 A - 75 W Through Hole TO-220-3
Цена
81 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
-
1 (Unlimited)
TO-220-3
75 W
NPN
4 A
300 V
1V @ 1A, 4A
1mA
10 @ 1A, 5V
Vendor Undefined
1
Bulk
Active
150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
2156-MJE13004,HARHARMJE13004
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF644S
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK, N-Channel 250 V 14A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: BSS7728N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3, N-Channel 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: MMBTRA101SS
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: FDD86367-F085
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK, N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: STGW30H60DFB
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 60A 260W TO247, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 260 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: IRLML6402TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23, P-Channel 20 V 3.7A (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее