г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE13005G onsemi

Артикул
MJE13005G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 400V 4A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 4MHz 2 W Through Hole TO-220
Цена
160 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE13005G.jpg
TO-220
NPN
4 A
400 V
1V @ 1A, 4A
-
8 @ 2A, 5V
2 W
4MHz
MJE13005GOS
1 (Unlimited)
MJE13
SWITCHMODE™
Tube
Obsolete
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
50
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG7PH46UPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 117A I(C), 1200V V(BR)CES,, IGBT Trench 1200 V 130 A 469 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: MUN2212T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 338 mW Surface Mount SC-59
Подробнее
Артикул: A2T26H160-24SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF MOSFET LDMOS DL 28V NI780S, RF Mosfet LDMOS (Dual) 28 V 350 mA 2.58GHz 15.5dB 28W NI-780S-4L2L
Подробнее
Артикул: 2KBP01M
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBPM, Bridge Rectifier Single Phase Standard 100 V Through Hole KBPM
Подробнее
Артикул: MDO500-12N1
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 560A Y1-CU, Diode Standard 1200 V 560A Chassis Mount Y1-CU
Подробнее
Артикул: BAV99T-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY GP 85V 75MA SOT523, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 85 V 75mA (DC) Surface Mount SOT-523
Подробнее