г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE13006 NTE Electronics

Артикул
MJE13006
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- HIV SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220
Цена
276 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE13006.jpg
TO-220
80 W
300 V
8 A
NPN
3V @ 2A, 8A
1mA
8 @ 2A, 5V
TO-220-3
1
2368-MJE13006
SWITCHMODE™
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0100-S-1
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELCADMIUM (COMMERCIAL, #4-40 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: 1N4752A
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 33 V 1W DO-41G, Zener Diode 33 V 1 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: 1N4372A
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 3V 500MW DO35, Zener Diode 3 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IRG4BC40SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 60 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: ECAT-2051
Бренд: ICP DAS
Описание: ETHERCAT SLAVE I/O MODULE: 16 CH, Input, Output (I/O) Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее
Артикул: IXFK64N50P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA, N-Channel 500 V 64A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Подробнее