г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE13006 NTE Electronics

Артикул
MJE13006
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- HIV SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220
Цена
276 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE13006.jpg
TO-220
80 W
300 V
8 A
NPN
3V @ 2A, 8A
1mA
8 @ 2A, 5V
TO-220-3
1
2368-MJE13006
SWITCHMODE™
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FMMT591TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 150MHz 500 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRLR7843TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK, N-Channel 30 V 161A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: 1218-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: 1533-E-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: 2N3700
Бренд: Solid State
Описание: TRANS NPN 80V 1A TO18, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 400MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: MBR0520L
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123, Diode Schottky 20 V 500mA Surface Mount SOD-123
Подробнее