г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE13006 NTE Electronics

Артикул
MJE13006
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- HIV SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220
Цена
276 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE13006.jpg
TO-220
80 W
300 V
8 A
NPN
3V @ 2A, 8A
1mA
8 @ 2A, 5V
TO-220-3
1
2368-MJE13006
SWITCHMODE™
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: JT-212
Бренд: ECG
Описание: TIPS FOR J-SSA-1+J-SSD-X,
Подробнее
Артикул: OF-CL-32-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 2" ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: G-504-1
Бренд: 3M
Описание: SCREW GROMMET THERMOPLASTIC BLUE, Screw Grommet - Thermoplastic Blue
Подробнее
Артикул: 1182-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/1, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.938" (49.21mm) -
Подробнее
Артикул: 85EPF04
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 85A POWIRTAB, Diode Standard 400 V 85A Chassis Mount PowIRtab™
Подробнее
Артикул: HSMS-270C-TR1G
Бренд: Broadcom Limited
Описание: DIODE SCHOTTKY 15V 825MW SOT323, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 15V 750 mA 825 mW SOT-323
Подробнее