г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE15035G onsemi

Артикул
MJE15035G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP 350V 4A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 4 A 30MHz 2 W Through Hole TO-220
Цена
265 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE15035G.jpg
ONSONSMJE15035G,MJE15035GOS,2156-MJE15035G-OS
TO-220
PNP
4 A
350 V
500mV @ 100mA, 1A
10µA (ICBO)
10 @ 2A, 5V
2 W
30MHz
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Tube
Active
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0075
50
MJE15035
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MRF6V10010NR4
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5, RF Mosfet LDMOS 50 V 10 mA 1.09GHz 25dB 10W PLD-1.5
Подробнее
Артикул: AUIRLR014N
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK, N-Channel 55 V 10A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: MJE4353
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PWR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: STP80NF12
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB, N-Channel 120 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: HGTG12N60A4
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: BYG20J
Бренд: DComponents
Описание: UF Rect, 600V, 1.5A, 75ns, Diode Avalanche 600 V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее