г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE180 NTE Electronics

Артикул
MJE180
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 40V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126
Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE180.jpg
TO-126
12.5 W
40 V
3 A
NPN
300mV @ 50mA, 500mA
-
50 @ 100mA, 1V
TO-225AA, TO-126-3
1
2368-MJE180
-
Bag
Active
Through Hole
-
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
50MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AUIRF4905STRL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: NTE393
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 25A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: DSI30-12AS-TUB
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263, Diode Standard 1200 V 30A Surface Mount TO-263AA
Подробнее
Артикул: 7160-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN ALUMINUM3/16HD X, #6-32 Knob Thumb Screw - Drive Aluminum
Подробнее
Артикул: PET-7016
Бренд: ICP DAS
Описание: MODBUS TCP POE REMOTE I/O DAQ MO, Input, Output (I/O) Module DIN Rail 12 ~ 48VDC
Подробнее
Артикул: IXFN55N50F
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B, N-Channel 500 V 55A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее