г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE18008G onsemi

Артикул
MJE18008G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 450V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 8 A 13MHz 125 W Through Hole TO-220
Цена
389 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE18008G.jpg
2156-MJE18008G-OS,MJE18008GOS,ONSONSMJE18008G
TO-220
NPN
8 A
450 V
700mV @ 900mA, 4.5V
100µA
14 @ 1A, 5V
125 W
13MHz
Not Applicable
ROHS3 Compliant
SWITCHMODE™
Tube
Active
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
50
MJE18008
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AUIRFB8407
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRLR120N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: FDP5690
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3, N-Channel 60 V 32A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BCW60D
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MJE15035
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 350V 4A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 4 A 30MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MBR1040CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее