г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE253G onsemi

Артикул
MJE253G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP 100V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Цена
112 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE253G.jpg
ONSONSMJE253G,MJE253GOS,2156-MJE253G-OS
TO-126
PNP
4 A
100 V
600mV @ 100mA, 1A
100nA (ICBO)
40 @ 200mA, 1V
1.5 W
40MHz
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Bulk
Active
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-225AA, TO-126-3
EAR99
8541.29.0075
500
MJE253
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IKB15N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: BSS138
Бренд: MICROSS
Описание: MOSFET N-CH 50V 220MA DIE, N-Channel 50 V 220mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount Die
Подробнее
Артикул: IKW50N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 100 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: MMBD1404A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 175 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MUN5313DW1T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Подробнее
Артикул: MJE15028
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 120V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 8 A 30MHz 50 W Through Hole TO-220
Подробнее