г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE2955T onsemi

Артикул
MJE2955T
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP 60V 10A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 2MHz 75 W Through Hole TO-220
Цена
179 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE2955T.jpg
MJE2955TOS
TO-220
PNP
10 A
60 V
8V @ 3.3A, 10A
700µA
20 @ 4A, 4V
75 W
2MHz
1 (Unlimited)
RoHS non-compliant
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
50
MJE2955
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BC858B,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BC858B - SMALL SIGNAL B, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: CSD18503KCS
Бренд: National Semiconductor
Описание: CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE, N-Channel 40 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: HUF75345P3
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3, N-Channel 55 V 75A (Tc) 325W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MJ11012
Бренд: Solid State
Описание: TO 3 30 AMP DARLINGTON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A - 200 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: EPC2203
Бренд: EPC
Описание: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE, N-Channel 80 V 1.7A (Ta) - Surface Mount Die
Подробнее
Артикул: IRF7389PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее