г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE340 NTE Electronics

Артикул
MJE340
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 300V 500MA TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE340.jpg
TO-126
20 W
300 V
500 mA
NPN
-
-
30 @ 50mA, 10V
TO-225AA, TO-126-3
1
2368-MJE340
-
Bag
Active
Through Hole
-
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZG03C10-M3-18
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 10V 1.25W DO214AC, Zener Diode 10 V 1.25 W ±6% Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: I-7012F
Бренд: ICP DAS
Описание: RS-485 REMOTE I/O DAQ MODULE: HI, Input Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее
Артикул: FQN1N60CTA
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3, N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1252-25-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: 2N2907
Бренд: Solid State
Описание: TO 18 PNP SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 200MHz 400 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: IRFIBF30G
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3, N-Channel 900 V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее