г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE350STU onsemi

Артикул
MJE350STU
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP 300V 0.5A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126-3
Цена
110 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE350STU.jpg
2156-MJE350STU,ONSONSMJE350STU
TO-126-3
PNP
500 mA
300 V
-
100µA (ICBO)
30 @ 50mA, 10V
20 W
-
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
-
Tube
Obsolete
150°C (TJ)
Through Hole
TO-225AA, TO-126-3
EAR99
8541.29.0095
1,920
MJE350
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SC4617G
Бренд: SANYO
Описание: NPN AMPLIFIER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 180MHz 125 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: NTE222
Бренд: NTE Electronics
Описание: MOSFET N-CHANNEL 25V 50MA TO72, N-Channel 25 V 50mA (Tj) 360mW (Ta), 1.2mW (Tc) Through Hole TO-72
Подробнее
Артикул: FDC633N
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6, N-Channel 30 V 5.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее
Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 625W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 105 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 0146-C
Бренд: Davies Molding
Описание: BALL KNOB BRASS INSERT 1.41", Smooth Knob 3/8"-16 Shaft with No Indicator Rubber Black
Подробнее
Артикул: BSC018NE2LSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON, N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее