г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE4343G onsemi

Артикул
MJE4343G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 160V 16A TO247, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole TO-247-3
Цена
687 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE4343G.jpg
2156-MJE4343G-OS,MJE4343GOS,ONSONSMJE4343G
TO-247-3
NPN
16 A
160 V
3.5V @ 2A, 16A
750µA
15 @ 8A, 2V
125 W
1MHz
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Tube
Active
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
30
MJE4343
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFBF20
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB, N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 923285-I
Бренд: 3M
Описание: BREADBOARD DISTI BUS 3.50X0.35", Solderless Breadboard Distribution Bus (No Frame) 3.50" x 0.35" (88.9mm x 8.9mm)
Подробнее
Артикул: IRLR3410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FDS6930A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 1219-8-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM1/2 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: FS10R06VL4_B2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее