г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE4353 NTE Electronics

Артикул
MJE4353
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- PWR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole SOT-93
Цена
890 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE4353.jpg
SOT-93
125 W
160 V
16 A
PNP
3.5V @ 2A, 16A
750µA
15 @ 8A, 2V
TO-218-3
1
2368-MJE4353
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1256-12-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: 1191-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее
Артикул: BAV102,115
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS, Diode Standard 150 V 250mA (DC) Surface Mount LLDS; MiniMelf
Подробнее
Артикул: STTH30R04W
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 400V 30A DO247, Diode Standard 400 V 30A Through Hole DO-247
Подробнее
Артикул: MJ11012G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 60V 30A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: ST8812FX
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 600V 7A ISOWATT218FX, Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 7 A - 50 W Through Hole ISOWATT-218FX
Подробнее