г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE5852 onsemi

Артикул
MJE5852
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP 400V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 8 A - 80 W Through Hole TO-220
Цена
513 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MJE5852.jpg
MJE5852OS
TO-220
PNP
8 A
400 V
5V @ 3A, 8A
-
5 @ 5A, 5V
80 W
-
1 (Unlimited)
RoHS non-compliant
SWITCHMODE™
Tube
Obsolete
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
50
MJE5852
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAT1502LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее
Артикул: 2N3506
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN POWER SILICON TRANSISTORS, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 500 mA - 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Подробнее
Артикул: DMT6005LPS-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI, N-Channel 60 V 17.9A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Подробнее
Артикул: BAS70W-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323, Diode Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: BC846AW,135
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS NPN 65V 0.1A SOT323, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IXBH5N160G
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD, IGBT - 1600 V 5.7 A 68 W Through Hole TO-247AD
Подробнее