г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBFJ202 onsemi

Артикул
MMBFJ202
Бренд
onsemi
Описание
JFET N-CH 40V 350MW SOT23-3, JFET N-Channel 40 V 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Цена
65 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - JFETs, Транзисторы - JFET
files/MMBFJ202.jpg
1 (Unlimited)
2156-MMBFJ202-OS,MMBFJ202CT,MMBFJ202-ND,MMBFJ202TR,MMBFJ202DKR
SOT-23-3
350 mW
N-Channel
-
REACH Unaffected
40 V
900 µA @ 20 V
ROHS3 Compliant
MMBFJ2
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EAR99
8541.21.0095
3,000
800 mV @ 10 nA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRLL2705PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223, N-Channel 55 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: FSAM50SM60A
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V 50A S32CA, Power Driver Module
Подробнее
Артикул: 2N4234
Бренд: onsemi
Описание: PNP POWER 6W TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 1 A - 6 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: IPW60R160P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: 1N5404-A
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GPP 3A DO-201AD, Diode
Подробнее