г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT5551 Diotec Semiconductor

Артикул
MMBT5551
Бренд
Diotec Semiconductor
Описание
BJT SOT-23 160V 600MA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
10 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MMBT5551_305.jpg
SOT-23-3 (TO-236)
250 mW
REACH Unaffected
NPN
600 mA
160 V
200mV @ 5mA, 50mA
50nA (ICBO)
80 @ 10mA, 5V
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3,000
-
Strip
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
8541.21.0000
2721-MMBT5551,2796-MMBT5551TR
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2290400-R
Бренд: Microchip Technology
Описание: SMARTHBA 2100-8I SINGLE, SAS/SATA Adapter Cards PCI Express
Подробнее
Артикул: IRLB4030PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB, N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1N5711W-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD123, RF Diode Schottky - Single 70V 15 mA 333 mW SOD-123
Подробнее
Артикул: PDTC144ET,215
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: BSO052N03S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO, N-Channel 30 V 14A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Подробнее
Артикул: BTS247Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее