г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMDT3904-7-F Diodes Incorporated

Артикул
MMDT3904-7-F
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Цена
50 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
files/MMDT3904-7-F.jpg
MMDT39047F,MMDT3904-FDICT,MMDT3904-FDIDKR,MMDT3904-FDITR
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
200mW
2 NPN (Dual)
200mA
40V
100 @ 10mA, 1V
300mV @ 5mA, 50mA
50nA (ICBO)
-55°C ~ 150°C (TJ)
3,000
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
MMDT3904
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.21.0075
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SBR20150CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SBR 150V 10A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 150 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3, N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: MJE15031
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AF PWR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 8 A 30MHz 50 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N829A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: MURA160T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA, Diode Standard 600 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: IRFU9220
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA, P-Channel 200 V 3.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Подробнее