г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMST5551-7 Diodes Incorporated

Артикул
MMST5551-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
69 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MMST5551-7.jpg
3,000
1034-MMST5551-7CT,MMST5551CT,MMST5551TR-ND,MMST5551,MMST5551DITR,MMST5551DITR-ND,1034-MMST5551-7DKR,MMST5551CT-ND,MMST5551DICT-ND,1034-MMST5551-7TR,MMST55517,MMST5551TR,31-MMST5551-7TR,MMST5551DICT
8541.21.0075
EAR99
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
Active
Cut Tape (CT)
*
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PD85006-E
Бренд: STMicroelectronics
Описание: FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF, RF Mosfet LDMOS 13.6 V 200 mA 870MHz 17dB 6W 10-PowerSO
Подробнее
Артикул: NGTB50N60S1WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 50A 600V TO-247, IGBT Trench 600 V 100 A 417 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRG7PK35UD1PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER, IGBT - 1400 V 40 A 167 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1N5408
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD, Diode Standard 1000 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: MIXA450PF1200TSF
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MOD 1200V 650A 2100W, IGBT Module PT Half Bridge 1200 V 650 A 2100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 1N829A
Бренд: Solid State
Описание: DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35, Zener Diode 6.2 V 400 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее