г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MPSA13 NTE Electronics

Артикул
MPSA13
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92
Цена
31 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/MPSA13.jpg
TO-92
625 mW
30 V
500 mA
NPN - Darlington
1.5V @ 100µA, 100mA
100nA (ICBO)
10000 @ 100mA, 5V
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1
2368-MPSA13
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
125MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: F-592-C
Бренд: GC Electronics
Описание: 2-56 X 1/4 BINDER HEAD SCRE,
Подробнее
Артикул: SLA6024
Бренд: Sanken
Описание: TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP, Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 8A 50MHz 5W Through Hole 12-SIP
Подробнее
Артикул: 2SC5200
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 230V 15A TO-264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: NTS-37
Бренд: Essentra Components
Описание: HEX STANDOFF M4 NYLON 37.10MM, Hex Standoff Threaded M4 Nylon 1.461" (37.10mm) Natural
Подробнее
Артикул: IRGB20B60PD1PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT NPT 600 V 40 A 215 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FKV550T
Бренд: Sanken
Описание: MOSFET N-CH 50V 50A TO220F, N-Channel 50 V 50A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220F
Подробнее