г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MPSH10 NTE Electronics

Артикул
MPSH10
Бренд
NTE Electronics
Описание
RF TRANS NPN 25V 650MHZ, RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole
Цена
26 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
files/MPSH10.jpg
650MHz
60 @ 4mA, 10V
NPN
25V
-
350mW
1
2368-MPSH10
8541.21.0095
EAR99
RoHS non-compliant
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
Active
Bag
-
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STTH15R06D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC, Diode Standard 600 V 15A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IXFB100N50P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264, N-Channel 500 V 100A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Подробнее
Артикул: MRFE6VP8600HSR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 1.4 A 860MHz 19.3dB 125W NI-1230S
Подробнее
Артикул: STX0560
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 600V 1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 1 A - 1.5 W Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: MAC212A8
Бренд: onsemi
Описание: TRIAC 600V 12A TO220AB, TRIAC Standard 600 V 12 A Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MHT1006NT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W, RF Mosfet LDMOS 28 V 90 mA 2.17GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W
Подробнее