г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MRF6S18100NBR1 Freescale Semiconductor

Артикул
MRF6S18100NBR1
Бренд
Freescale Semiconductor
Описание
RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272, RF Mosfet LDMOS 28 V 900 mA 1.99GHz 14.5dB 100W TO-272 WB-4
Цена
9 041 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
-
-
Vendor Undefined
1.99GHz
100W
LDMOS
14.5dB
-
900 mA
68 V
TO-272 WB-4
TO-272BB
Bulk
Active
MRF6
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
2156-MRF6S18100NBR1,FREFREMRF6S18100NBR1
1
28 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: GBU1008
Бренд: MDD
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: NDS352AP
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3, P-Channel 30 V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1300-8-PH
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - PHENOLIC, Round Spacer Unthreaded - Phenolic 1.563" (39.69mm) -
Подробнее
Артикул: SBR8U60P5-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 60V 8A POWERDI5, Diode Super Barrier 60 V 8A Surface Mount PowerDI™ 5
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: FGA20S120M
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: IGBT, 40A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT Trench Field Stop 1200 V 40 A 348 W Through Hole TO-3P
Подробнее