MS2215 Microsemi

Артикул

MS2215

Бренд

Microsemi

Описание

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M216, RF Transistor NPN 55V 16.5A 960MHz ~ 1.215GHz 300W Chassis Mount M216

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные

Chassis Mount

300W

7.5dB

55V

16.5A

NPN

20 @ 5A, 5V

960MHz ~ 1.215GHz

150-MS2215,MS2215-ND

8541.29.0075

Bulk

Obsolete

250°C (TJ)

M216

1 (Unlimited)

REACH Unaffected

EAR99

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 7078-S

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: SHOULDER SCREWPLAIN STEEL5/8HD X, 3/8"-16 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Steel

Подробнее

Артикул: FF400R12KE3HOSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2000W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 580 A 2000 W Chassis Mount Module

Подробнее

Артикул: SISS22LDN-T1-GE3

Бренд: VISHAY

Описание: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK, N-Channel 60 V 25.5A (Ta), 92.5A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Подробнее

Артикул: IRF7103PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2W Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: 1413-6-S

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -

Подробнее

Артикул: SF10JG-A

Бренд: Diodes Incorporated

Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41, Diode Standard 600 V 1A Through Hole DO-41

Подробнее

MS2215 Microsemi

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята