г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MTY100N10E onsemi

Артикул
MTY100N10E
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 100V 100A TO264, N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-264
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/MTY100N10E.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
100 V
100A (Tc)
10V
11mOhm @ 50A, 10V
4V @ 250µA
378 nC @ 10 V
±20V
10640 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
TO-264
MTY100N10EOS
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-264-3, TO-264AA
EAR99
8541.29.0095
25
MTY10
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SC3519
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN 160V 15A TO3P, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 15 A 50MHz 130 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: 7115-S-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWCLEAR ZINC1/2HD X 3/4, 1/4"-20 Knob Thumb Screw - Drive Steel
Подробнее
Артикул: 1490-50-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/4 HEX X 7, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: MRF448
Бренд: MACOM
Описание: RF TRANS NPN 50V 211-11, RF Transistor NPN 50V 16A - 250W Chassis Mount 211-11, Style 2
Подробнее
Артикул: IKZ50N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4, IGBT Trench 650 V 85 A 273 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее
Артикул: FGH60N60SMD
Бренд: onsemi
Описание: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247, IGBT Field Stop 600 V 120 A 600 W Through Hole TO-247-3
Подробнее